Číslo produktu výrobce:
TSM150NB04CR RLG
Product Overview
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dílu:
TSM150NB04CR RLG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 10A (Ta), 41A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Inventář:
5000 Ks Nový Originál Skladem
12895249
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TSM150NB04CR RLG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Taiwan Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Ta), 41A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
15mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1092 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.1W (Ta), 56W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PDFN (5.2x5.75)
Balení / pouzdro
8-PowerLDFN
Základní číslo výrobku
TSM150
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
TSM150NB04CRRLGCT
TSM150NB04CRRLGTR
TSM150NB04CRRLGDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN3008SFG-13
MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
DMTH10H010SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
TSM220NB06LCR RLG
MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
